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六方氮化硼薄膜制備方法流程

文章出處: 天元航材    責任編輯: 天元化工新材廠家    發布時間:2023-08-22 09:23:58    點擊數:0    【
[導讀]: 天元航材跟大家一起來了解下關于六方氮化硼薄膜制備方法流程是怎么樣的吧!

六方氮化硼薄膜制備方法流程

天元航材化工原料生產廠家的小編今天給大家介紹下關于六方氮化硼薄膜制備方法的相關介紹,我們天元是一家生產六方氮化硼的化工廠家,生產的六方氮化硼廣泛應用薄膜,脫模劑,復合陶瓷等行業,今天小編跟大家一起來了解下關于六方氮化硼薄膜制備方法流程是怎么樣的吧!

六方氮化硼(H-BN)是一種Ⅲ類化合物,其六方相具有類似于石墨烯的層狀結構,被命名為白石墨,層中的b和N原子以共價鍵結合在一起,其結構為穩定。層間有范德華力,層間可以通過脫硼的方式打開,在空氣中非常穩定,可以承受2000℃的高溫,只有在連續強加熱條件下才能燃燒,可以用于高溫耐火材料、耐火涂料。

以下是制備六方氮化硼薄膜的步驟:
(1)硼源置于襯底中;
(2)在惰性氣體氣氛中加熱硼源使硼源熔化;
(3)然后,通過氣相氮源進行反應;
(4)反應結束后,除去未反應的硼源,得到六方氮化硼薄膜。

硼源有氧化硼、硼酸、偏硼酸鋰、偏硼酸鈉、偏硼酸鉀、四硼酸鋰及其水合物、四硼酸鈉及其水合物、四硼酸鉀及其水合物、四硼酸鋁及其水合物。

此外,還可以通過CVD法制備六方氮化硼薄膜
CVD法制備的六方氮化硼薄膜通常使用BCL3或B2H6作為硼源,BCL3作為硼源可以獲得較高的沉積速率,但在較高的沉積溫度(1200~2000℃)下,可以在較低的溫度下獲得非晶氮化硼B2H6作為硼源的沉積速率比B2H6低,但沉積溫度可明顯降低,最低可降低至600℃,Bcl3和NH3在827℃沉積非晶態氮化硼薄膜,在900°C下制備六方氮化硼薄膜。

H-BN薄膜的表面探究得出由于在吸附空氣中碳氫化合物的作用下,氮化硼的水接觸角隨著暴露在空氣中的時間而增加,水接觸角大于93.60,表明表面H-BN薄膜能量低,可作為碳氫化合物材料。

天元航材化工原料生產廠家的小編今天就給您介紹到這里了,有疑問的可以電話咨詢!
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